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普及TB级 SSD:128层堆栈的1Tb NAND闪存快来了

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发表于 2017-6-7 15:06:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

东芝、西数开发的64层堆栈512Gb核心容量的TLC闪存及硬盘已经开始出货,此前三星、美光、Intel也各自发布了64层堆栈的3D NAND闪存,而SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数更多,去年底就推出了48层堆栈的,今年4月份更是首发了72层堆栈闪存,下一步则是96层堆栈,再往后则是128层堆栈,核心容量可提升至1Tb(238GB)。

此外,TLC闪存现在已经成为市场的主流,明年开始QLC闪存也要正式进入商业化了,而MLC闪存恐怕要步SLC闪存的后路了。

与其他厂商的3D NAND闪存相比,SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数更多,去年其他厂商还在堆栈32层的时候,他们就做了48层堆栈的了,今年其他厂商是64层堆栈,SK Hynix搞的的是72层堆栈,不过层数虽多,SK Hynix的3D闪存核心容量并不算高,4月份发布的72层堆栈3D闪存核心容量才256Gbit,只是其他家32层堆栈的3D NAND闪存的水平,东芝、西数及三星的64层堆栈已经可以做到512Gbit核心容量。

SK Hynix后面不仅会提升堆栈层数,容量也同样会提升。有媒体报道称他们下一代产品是96层堆栈的,核心容量将提升到512Gbit。当然,这也不是终点,原文称其他韩国SSD厂商(这是说三星?)将推出128层堆栈的3D NAND闪存,核心容量将提升到1Tbit。

这是什么概念?目前主流的闪存核心容量才256Gbit,1Tbit容量密度是它的四倍,也就是128GB容量,而我们在SSD上常见的NAND芯片是由多个核心组成的,即便是4个核心,那么一片“闪存”的容量也有512GB了,M.2这样的SSD上正反面至少可以布置4篇闪存,那么容量轻松达到2TB,如果内部搭配的核心更多,那么4TB、8TB也很正常。

当然,128层堆栈的3D NAND闪存可能还要一两年时间才能问世,今年主流是64层堆栈,明年会提升到96层,128层大概要等到2019年了。

除了堆栈层数之外,提升NAND容量、降低成本还有别的方式,这就是NAND一路走路的SLC、MLC、TLC以及未来的QLC闪存——SLC大家都知道它的好处,性能最强,可靠性最高,但是成本也是最贵的,MLC次之,可惜现在只在部分高端型号上才见到了,TLC闪存之前一直被人吐槽性能差、可靠性低,但是TLC闪存现在已经成为主流了,特别是在3D NAND时代。

下一步就是QLC闪存,也就是Quad bit per cell(4bit per cell),每个cell单元容纳4位数据,比TLC的3位数据还多,好处是容量更大,但缺点也跟TLC一样,都是牺牲了可靠性及写入性能,因为QLC对信号的控制要求更严格,所需的校验更多。

从这几年的情况来看,Intel、美光、三星等公司早就在研究QLC闪存了,它从实验室走入市场只是时间问题,这次的台北电脑展上给出了更具体的信息,明年的电脑展上就能见到QLC闪存了。不只是TH这么报道,我们的记者团在跟厂商交流时也得到了类似的信息,那就是QLC闪存在明年下半年就会崭露头角。

从TLC最初的遭遇来看,QLC初期肯定也会面临性能、可靠性等方面的质疑,不过成本更低、容量更大的要求使得QLC没有后退的可能,这条路没法逆转了。更加“悲剧”的则是以前大家觉得是次品的MLC闪存也会越来越稀罕,一旦QLC成熟了,MLC闪存狗带的命运也是不可避免的。

对消费者来说,其实并不需要太在意闪存类型,早前闪存可靠性之所以受人关注,除了先天的技术问题外,还有一个重要因素就是之前的SSD容量太小,而对NAND来说,容量=寿命,大家购买的容量越大,可使用时间就越长,等到QLC闪存成熟了,SSD硬盘容量估计都是TB级的,写入寿命这事并不需要这么耿耿于怀,还是要看到技术进步的。

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