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[2017资讯] 美光内存、闪存路线图:64层3D NAND、QLC、GDDR6

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发表于 2017-2-7 18:48:37 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 路虎666 于 2017-2-7 18:51 编辑

在2017冬季分析师会议上,美光宣布CEO Mark Durcan退休,该公司将寻找新的CEO人选,这意味着美光即将进入新的时代。在这次会议上,美光公司还公布了一系列产品路线图,涉及NAND闪存及DRAM内存两个主力,引人注意的是美光今年将量产64层3D NAND闪存,并研究QLC闪存的市场需求,DRAM内存也在推进1X、1Ynm工艺进展,并准备推出GDDR6。

micron.jpg

过去的大半年中,NAND闪存及DRAM内存的涨价让不少存储芯片厂商的日子大大改善,三星、SK Hynix及东芝就不少了,美光也受益良多,去年底公布的2017财年Q1财报中营收39.7亿美元,比上涨23%,同比上涨19%,净利润1.8亿美元,而上个季度还净亏损了1.7亿美元。

在这次的分析师会议中,美光又公布了未来的产品路线图,主要有NAND和DRAM两大类产品,首先是美光2016年取得的成绩。

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美光2016年取得的成绩

2016年中,DRAM产线上美光成功转换到了20nm工艺,产能不断增加,1Xnm DRAM内存正在稳步进行中。闪存方面,美光及Intel量产了32层堆栈的第一代3D NAND闪存,成本、性能相比平面NAND闪存大为改善,64层3D NAND闪存正在开发中。

micron_NAND_DRAM_2.jpg
NAND闪存工艺进展

先说闪存方面的,美光今年主要是生产32层堆栈的TLC闪存,2017财年底(今年9月之前)将会制造64层3D NAND闪存,这是第二代3D NAND闪存了,而第三代3D NAND闪存预计会在2017年下半年推出,不过细节未知,从美光公布的数据来看,3代3D闪存每单位晶圆的GB容量进一步提升40%。

值得注意的是,美光也提到了QLC闪存,在此之前东芝及西数也公开提到了研发QLC闪存,也是每个cell单元储存4位数据的NAND,TLC则是3位数据。不过QLC闪存目前还只是研发阶段,真正上市还早呢。

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世界最小的256Gb闪存

虽然美光的3D NAND闪存量产时间晚于三星,不过他们在3D NAND也有独到之处,此前美光/Intel就公布过世界上容量最高的384Gb TLC闪存,这次美光又公布了世界上核心面积最小的256Gb 3D NAND闪存核心,只有59mm2,与其他厂商的64层3D NAND相比,美光的256Gb核心密度达到了4.3Gb/mm2,比竞品高出25%左右。

由于面积更低,美光的256Gb核心3D NAND主要用于移动市场,另外还有512Gb的TLC闪存,不过演示中并没有提及。

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美光DRAM技术路线图

在DRAM内存技术方面,美光去年完成了20nm工艺转换,2017年还会继续推进新制程研发,2017财年底会实现有意义的1Xnm工艺DRAM生产,每Gb成本预计降低20%以上。2017年下半年则会开始转向1Ynm工艺,而美国、日本的研发中心也会进行第三代10nm级工艺1Znm研发。

目前显卡使用的显存是GDDR5及GDDR5X,后者还是美光独家提供的,而在未来产品上,美光预计会在今年底或者明年初推出GDDR6显存,这跟三星在2018年推出GDDR6显存的计划差不多。

此外,美光及Intel联合开发的3D XPoint闪存也没啥消息,Intel好歹还推出了16、32GB容量的3D XPoint闪存,美光虽然将其命名为QuantX产品线,但一直没有产品宣布。

micron_NAND_DRAM_5.jpg

至于更黑科技的存储芯片,美光也简单提了一下,包括ReRAM、STT MRAM等等,这些芯片的性能会接近DRAM内存,而且还是非易失性的,但成本也会高得多。

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