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64层堆栈3D闪存!三星未来生产计划小曝

发布者: 路虎666 | 发布时间: 2016-10-11 14:43| 查看数: 695| 评论数: 0|帖子模式

本帖最后由 路虎666 于 2016-10-11 14:44 编辑

在前几天发布的初期财报数据中,三星Q3季度虽然面临营收下滑5%的困境,但盈利同比增长6%,这次移动部门是没啥指望了,让三星大赚特赚的是半导体,不断涨价的内存、闪存就是大功臣。今年智能手机内存、闪存容量不断增加,导致市场供应吃紧进而涨价,三星也瞅准了机会在年底量产第四代V-NAND闪存,64层堆栈,届时韩国的华城、中国的西安工厂都将是主产地。

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在3D闪存方面,三星的V-NAND闪存量产时间最早,领先SK Hynix、东芝、美光、Intel至少两年时间,现在已经发展到了第三代,堆栈层数48层,而美光、Intel、SK Hynix等公司的3D闪存不过24、36层堆栈,东芝闪迪系的BiCS闪存起点很高,直接上48层堆栈,但量产时间要等到明年。

今年8月份三星就曝光了64层堆栈的V-NAND闪存了,TLC类型,核心容量提高到512Gb,IO接口速度800Mbps。

根据三星最新的规划,64层V-NAND闪存预计会在今年底量产,韩国京畿道声的华城市工厂已经开始准备生产了。此外,三星在中国西安的晶圆厂也会量产64层V-NAND闪存,去年发布950 Pro时三星就提到西安工厂是最早量产48层堆栈3D闪存的工厂,这次64层堆栈闪存量产计划中,西安工厂也会是主产地之一。

三星还在韩国平泽市建设新的工厂,今年12月份将完成主体建筑施工,最快明年4月份就能生产,这比预期的时间提前了三个月。

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