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东芝、西数宣布新一代BiCS 3D NAND闪存:64层堆栈,2017年上市

发布者: 路虎666 | 发布时间: 2016-7-30 11:40| 查看数: 660| 评论数: 0|帖子模式

三星在3D NAND闪存上量产时间最早,产能也是最高的,领先其他公司至少三年时间,其V-NAND技术的3D NAND已经发展到第三代了,48层堆栈。东芝、西数此前宣布四日市的新工厂竣工,并且早就开始生产3D NAND闪存了,现在双方又公布了其3D NAND闪存的最新进展——64层堆栈的BiCS 3D闪存已经开始出样,比之前的48层堆栈更先进,预计2017年上半年正式量产。

bics.jpg
东芝、西数宣布出样64层堆栈的3D NAND闪存

对于3D NAND闪存,全球四大NAND豪门——三星、东芝/西数(闪迪已经被西数拿下)、SK Hynix、美光/Intel都有不同的解决方案,堆栈的层数也不同,此前在“引中国厂商竞折腰!3D NAND闪存是什么?有什么优势?”一文中简单介绍过他们的3D NAND闪存。

3dnand_010.jpg

作为NAND闪存的发明人,东芝研发的3D NAND使用的是BiCS技术,号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低,也意味着成本更低。目前量产的是48层堆栈,MLC类型的核心容量128Gb,TLC类型的容量可达256Gb。

Toshiba-64-bit-layer.jpg

东芝、西数目前宣布的新一代BiCS闪存是64层堆栈的,核心容量256Gb(32GB),未来还会推出容量高达512Gb的产品。东芝表示64层堆栈的3D NAND闪存单位面积容量增加了40%,每片晶圆所能生产的NAND容量也变大了,成本随之降低。

东芝的64层堆栈3D NAND闪存已经开始出样给客户,2016年底有可能看到部分零售产品,但真正规模量产还要等到2017年上半年。

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