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[存储评测] 3D V-NAND TLC杀到,三星850 EVO 250GB开箱与简测

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实名认证 发表于 2014-12-13 10:19:29 | 显示全部楼层 |阅读模式
       三星在本周发布了850 EVO系列SSD,作为840 Evo的后继者,它依然使用TLC闪存,但是这TLC闪存是使用3D V-NAND技术制作的,单颗闪存密度非常高,产品的质保从3年增加到5年,可见可靠性与寿命也比上代有所提升,现在这款SSD已经到了我们手上,今天先放上开箱与简单的测试,详细的评测请慢慢等待。
850EVO_01.jpg
三星850 EVO采用白色的包装,上面的“3D V-NAND”非常显眼
850EVO_06.jpg
包装内的所有东西:SSD硬盘、软件光盘、两本说明书
850EVO_02.jpg
850 EVO的外壳变成纯黑了
850EVO_03.jpg
SSD背面照片
850EVO_04.jpg
       由于3D V-NAND闪存的密度大,用两颗闪存就凑够了256GB的容量,PCB面积非常小,此外850EVO除了1TB的用的是旧的MEX主控外,其他的都是用全新的MGX主控,三星表示新主控优化了SSD的性能,特别是低容量下的随机性能。
850EVO_05.jpg
       850 EVO 120GB与250GB都是用这块PCB,250GB的有两颗闪存,而120GB的只有一颗闪存,更大容量的版本会使用更大的PCB。
CDM.png
       我们现在先用CrytalDiskMark对它进行简单的测试,连续读写速度分别为536/516MB/s,4K QD1随机读取速度是45MB/s,4K随机写入速度是130MB/s,当然由于用的是1GB的数据包,这个测试基本上都在TurboWrite缓存区内完成,敬请期待后面的详细测试。
该会员没有填写今日想说内容.11
发表于 2015-11-11 12:39:07 | 显示全部楼层
楼主加油,我们都看好你哦。
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